Большая Советская Энциклопедия (ТР) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" - Страница 17

  Т. является основным элементом современных микроэлектронных устройств. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью 30—35 мм² электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс. Т. Такие устройства, получившие название интегральных микросхем (ИС, см. Интегральная схема ), являются основой радиоэлектронной аппаратуры третьего поколения. Примером такой аппаратуры могут служить наручные электронные часы , содержащие от 600 до 1500 Т., и карманные электронные вычислительные устройства (несколько тыс. т.). Переход к использованию ИС определил новое направление в конструировании и производстве малогабаритной и надёжной радиоэлектронной аппаратуры, получившее название микроэлектроники . Достоинства Т. в сочетании с достижениями технологии их производства позволяют создавать ЭВМ, насчитывающие до нескольких сотен тыс. элементов, размещать сложные электронные устройства на борту самолётов и космических летательных аппаратов, изготовлять малогабаритную радиоэлектронную аппаратуру для использования в самых различных областях промышленности, в медицине, быту и т.д. Наряду с достоинствами Т. (как и др. полупроводниковые приборы) имеют ряд недостатков, в первую очередь — ограниченный диапазон рабочих температур. Так, германиевые Т. работают при температурах не свыше 100 °С, кремниевые 200 °С. К недостаткам Т. относятся также существенные изменения их параметров с изменением рабочей температуры и довольно сильная чувствительность к ионизирующим излучениям. См. также Дрейфовый транзистор , Импульсный транзистор , Конверсионный транзистор , Лавинный транзистор .

  Лит.: Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, [2 изд.], М., 1970; Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; З и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973.

  Я. А. Федотов.

Рис. 2в. Внешний вид сверхвысокочастотного малошумящего транзистора (при увеличении приблизительно в 1000 раз).

Рис. 2а. Внешний вид сверхвысокочастотных транзисторов в металлокерамических корпусах.

Рис. 1. Схематичное изображение транзисторов n — p — n -типа (а) и p — n — p -типа (б) в схеме усилителя электрических колебаний и условные обозначения их на электрических схемах (в, г): Э — эмиттер; Б — база; К — коллектор; R_н — нагрузка; U — напряжение источников питания; i — ток; стрелками обозначено направление движения электронов (противоположное направлению тока).

Рис. 2б. Внешний вид бескорпусных транзисторов.

Транзи'сторный радиоприёмник , радиоприёмник , в котором для усиления сигналов, преобразования их по частоте и детектирования используют полупроводниковые приборы (главным образом транзисторы и полупроводниковые диоды ). Термин «Т. р.» вошёл в употребление в 50-х гг. 20 в., когда началось промышленное освоение транзисторов и их применение в радиоприёмниках различного назначения — радиовещательных (см. Радиовещательный приёмник ), телевизионных (см. Телевизор ), связных и т.д. Т. р. совершенствовались в направлении расширения диапазона рабочих частот и увеличения мощности транзисторов, а также повышения стабильности их электрических характеристик и улучшения эксплуатационных показателей. Так, Т. р. звукового вещания вначале выпускались главным образом для приёма сигналов амплитудно-модулированных колебаний (в диапазонах километровых, гектометровых волн, а с 60-х гг. — и декаметровых волн); в конце 60-х гг. появились «всеволновые» Т. р., позволяющие вести приём сигналов частотно-модулированных УКВ колебаний. В 70-х гг. большинство выпускаемых промышленностью радиовещательных приёмников — транзисторные. Преимущества транзисторов (миниатюрность, малые значения питающего напряжения и потребляемой мощности) позволили значительно уменьшить размеры и массу приёмников и использовать для их питания помещаемые внутрь корпуса малогабаритные гальванические элементы и аккумуляторы. В результате получили массовое распространение портативные, карманные и миниатюрные радиовещательные Т. р.

  С развитием микроэлектроники происходит переход от Т. р., выполненных на дискретных транзисторах, диодах и др. радиоэлементах, к Т. р., в которых используются модули и интегральные микроминиатюрные электронные устройства (см. Интегральная схема ), что ещё более повышает качество Т. р. и позволяет ввести ряд эксплуатационных удобств (автоматическую настройку, сенсорное управление, цифровую индикацию частоты настройки и т.п.).

  Н. И. Чистяков.

Транзи'т (от лат. transitus — прохождение, переход), перевозки пассажиров и грузов из одного пункта в другой через промежуточные пункты. На железнодорожном транспорте понятие «Т.» применяется не только к перевозкам, но также к поездам и отдельным вагонам. Транзитный груз перевозится обычно маршрутными поездами, проходящими сортировочные и участковые станции без переработки. На речном транспорте понятие «Т.» применяют к перевозкам, совершаемым в границах двух или нескольких смежных пароходств (прямой Т.), а также между портами-пристанями одного пароходства (внутренний Т.). Транзитные перевозки осуществляются также в смешанных сообщениях, в которых участвуют железные дороги и пароходства (речные или морские).

  Т. имеет место в сообщениях как внутри страны, так и между отдельными странами (провоз пассажиров и грузов одной страны через территорию другой в третью страну). Установление транзитных международных сообщений обеспечивает удобства для экспортных и импортных организаций, освобождает их от перегрузки и переотправки грузов, дополнительных оформления документов и расчётов за перевозки в пограничных пунктах и портах. Перевозки грузов между различными странами осуществляются на основании соглашений между этими странами.

  М. И. Чернов.

Транзи'т телегра'мм , то же, что переприём телеграмм . Производится на промежуточных телеграфных станциях . Осуществляется преимущественно с применением реперфораторов и трансмиттеров .

Транзитивность (от лат. transitivus — переходный), одно из свойств логического отношения величин. Отношение а * b называется транзитивным, если из а * b и b * c вытекает, что а * c . Например , отношение равенства (а = b ) транзитивно, так как из а = b и b = с вытекает а = с . Аналогично, транзитивным является отношение <<a больше b >> (а > b ). Отношение же <<a не равно b>> (a ¹ b ) не транзитивно, так как из a ¹ b и b ¹ c ещё не вытекает a ¹ c . В геометрии транзитивным является отношение параллельности между двумя прямыми (если a параллельна b , а b параллельна g , то и a параллельна g ), отношение же перпендикулярности прямых не транзитивно.

Транзи'тная река' , участок реки, водный режим которого не соответствует физико-географическим условиям территорий, где она протекает, так как сформирован в иных областях. Особенно отчётливо проявляется характер Т. р. при пересечении пустынь. Такая река приносит в пустыни летние паводки, связанные с летним таянием снега в горах (например, р. Амударья) или с летними дождями зоны саванн (например, р. Нил).