Большая советская энциклопедия (-- - АБ) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" - Страница 1

1,2,3-Бензотриазо'л, органическое соединение; белые игольчатые кристаллы; t_пл 96—98,5°С, в воде не растворяется, растворим в спирте, бензоле. Получают Б. действием KNO₂ на о-фенилендиамин в кислой среде. Применяют в аналитической химии для осаждения и количественного определения металлов (например, Cu, Ag, Zn), а также в фотографии как антивуалирующее средство.

1,2,3-Бензотриазол.

2,4-Д, сокращённое название одного из гербицидов — 2,4-дихлорфеноксиуксусной кислоты.

«30 лет Сове'тской А'рмии и Фло'та», медаль; см. в ст. Медали СССР.

«40 лет Вооружённых Сил СССР», медаль, см. в ст. Медали СССР.

8-Оксихиноли'н, (-оксихинолин, оксин, светло-жёлтые кристаллы; t_пл 75—76 °С;

растворим в органических растворителях, щелочах и кислотах, в воде — плохо. Способность 8-О. образовывать со многими катионами металлов малорастворимые в водных растворах (уксусной кислоты, аммиака и др.) кристаллические внутрикомплексные соли (хелаты), например Mg (C₉H₆ON)₂, Al (C₉H₆ON)₃, используется на практике для определения и разделения ряда металлов (Al, Zn, Cd, Mg и др.). Некоторые производные 8-O. применяют в качестве фунгицидов [например, медную соль (C₉H₆ON)₂Cu] и антисептиков амёбоцидного и наружного действия (например, хинозол, энтеросептол, ятрен).

«Académia», советское издательство. Основано в 1922 в Петрограде как частное, затем преобразовано в издательство при Государственном институте истории искусств в Ленинграде. После перевода в Москву в 1938 слилось с Гослитиздатом. Председателем редакционного совета «А.» был М. Горький. С конца 20-х гг. издательство выпускало серии книг: «Сокровища мировой литературы», «Классики мировой литературы», «Памятники литературного, общественного, художественного быта и искусства», а также памятники литературы народов СССР и др. Издания «А.» обычно сопровождались вступительными статьями, научными комментариями, отличались высокой культурой полиграфического оформления.

L-фо'рмы бакте'рий, см. Формы бактерий.

Monumenta Germaniae Historica (лат., сокращенно MGH), Памятники истории Германии, многосерийное издание источников по истории Германии 500—1500. Публикация начата в 1826 обществом по изучению ранней германской истории (основана в 1819 по инициативе Г. Ф. К. Штейна). В 1823—73 изданием руководил Г. Пертц. В 1875 была создана центральная дирекция MGH. С 1946 публикацией ведает специальный институт под названием «MGH. Герм. институт по изучению средневековья» (центральная дирекция находится с 1948 в Мюнхене), отделения MGH имеются при АН ГДР и при Австрийской АН в Вене.

  Публикация состоит из пяти основных серий: I. Исторические писатели (лат. Scriptores, сокращенно SS); II. Законы (Leges, LL); III. Грамоты (королей и императоров) (Diplomata, DD); IV. Письма (Epistolae, Epp); V. Древности (Antiquitates, АА). В процессе работы появился ряд дополнений, а также переиздания, в том числе сокращённые для учебных целей (в пер. на немецкий язык — Geschichtsschreiber der deutschen Vorzeit, v. 1—103, 1847—1959). В подготовке публикаций приняли участие крупные учёные (Г. Вайц, В. Ваттенбах и др.).

p-n-перехо'д, то же, что электронно-дырочный переход.

S-ма'трица, то же, что матрица рассеяния.

S-прибо'ры, полупроводниковые приборы, действие которых основано на S-oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется N-oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — S-oбразной. S-п. реализуются различными способами. Первым S-п. был кристадин. К S-п. относятся четырёхслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три р — n-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространённым S-п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает S-xapakтеристика. S-xapakтеристику имеют также при определённых условиях лавинные транзисторы, Ганна диоды и лавинно-инжекционные полупроводниковые диоды.

  Наибольшее практическое применение получили четырёхслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные тиратроны) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются релаксационные генераторы и линии задержки. В перспективе — использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.

  Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то время, как ток растет. Это и обусловливает S-oбразную вольтамперную характеристику. Известны S-п. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока) только в S-п. Например, в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400 мкм до 80—100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования S-п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности.

  S-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки — аксона. В S-п., созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., S-п. может быть управляемым источником света.